Большой энциклопедический политехнический словарь - туннельный диод

полупроводниковый диод, действие к-рого осн. на туннельном эффекте. Содержит р - n-переход с очень малой толщиной запирающего слоя (обычно 5 15 нм). Предложен япон. физиком Л. Эсаки (L. Esaki) в 1957. Туннельвый механизм переноса электронов в Т. д. обусловливает N-образный вид его вольтамперной характеристики, имеющей участок с отрицат. сопротивлением (см. рис.). Т. д. изготовляют чаще всего на основе германия и арсенида галлия с большой концентрацией примесей (до 10²⁵ 10²⁷ м^-3). Т. д. характеризуются широким диапазоном рабочих темп-р (до 200 °С германиевые; до 600 °С арсенид-галлиевые), высоким быстродействием, но низкой выходной мощностью (единицы мВт). Применяются в усилителях и генераторах электрич. колебаний СВЧ диапазона (до десятков ГГц), в быстродействующих переключающих устройствах, а также устройствах памяти с двоичным кодом.

Вольтамперная характеристика туннельного диода

Большой энциклопедический политехнический словарь

2004