Физическая энциклопедия - тензорезистивный эффект
Тензорезистивный эффект
изменение электрич. сопротивления тв. проводника (металла, полупроводника) в результате его деформации. Особенно велик Т. э. в полупроводниках, где он связан с изменением энергетич. спектра носителей заряда при деформации: с изменением ширины запрещённой зоны и энергий ионизации примесных уровней; с относит. изменением энергий отдельных долин зоны проводимости; с расщеплением дырочных зон, к-рые в отсутствии деформации вырождены; с изменением эффективных масс носителей заряда (см.
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ). Всё это приводит к изменению концентрации носителей и их эффективной подвижности. Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей через изменение спектра фононов и появление новых дефектов. Величина Т. э. при малых деформациях пропорц. упругому напряжению: где Dsij изменение тензора уд. электропроводности, s»1/3(sхх+syy+szz) -ср. уд. электропроводность кристалла, Pkl тензор упругих напряжений, а Пijkl тензор четвёртого ранга, наз. тензором коэфф. пьезосопротивления, характеризующий Т. э. в однородных полупроводниках. Абс. величина компонент Пijkl достигает в полупроводниках значений 10-9 10-8 м2/Н.Вольтамперная характеристика полупроводниковых приборов часто определяется малой областью объёма полупроводников, поэтому при концентрации механич. напряжений именно в этой области даже малое механич. усилие создаёт значит. изменение высоты потенциального барьера для носителей, что приводит к изменению вольтамперной хар-ки прибора.
Полупроводниковые тензоэлементы служат чувствительными датчиками механич. напряжений (>10 В/Н) и ускорений. .Вопрос-ответ:
Похожие слова
Самые популярные термины
1 | 500 | |
2 | 416 | |
3 | 410 | |
4 | 404 | |
5 | 394 | |
6 | 393 | |
7 | 391 | |
8 | 384 | |
9 | 379 | |
10 | 375 | |
11 | 373 | |
12 | 365 | |
13 | 361 | |
14 | 360 | |
15 | 359 | |
16 | 358 | |
17 | 357 | |
18 | 355 | |
19 | 351 | |
20 | 342 |