Энциклопедический словарь нанотехнологий - туннельное магнетосопротивление

Термин на английском

tunnel magnetoresistanceСинонимы

туннельное магнитосопротивлениеАббревиатуры

TMRСвязанные термины

гигантское магнетосопротивление, спинтроникаОпределение

эффект изменения электрического сопротивления между двумя областями ферромагнетика, разделенными тонким слоем диэлектрика, вследствие туннельных переходов спин-поляризованных носителей под действием магнитного поля.

Эффект туннельного магнетосопротивления аналогичен гигантскому магнетосопротивлению, однако ферромагнитные области разделены не проводящими, а диамагнитными прослойками. В этом случае транспорт носителей заряда через изолирующую прослойку обеспечивается исключительно квантовомеханическими эффектами. Примером системы, в которой реализуется эффект туннельного магнетосопротивления, может служить композит, представляющий собой ферромагнитные зерна в изолирующей матрице, или слоистая структура, в которой магнитные слои разделены тонкими слоями диэлектрика. В настоящее время на базе эффекта туннельного магнитного сопротивления создана магнеторезистивная оперативная память (MRAM). Эффект также применяется в считывающих головках накопителей на жестких дисках. Данный эффект один из основных эффектов, который может быть практически реализован в устройствах спинтроники.

• Зайцев Дмитрий Дмитриевич, к.х.н.

Разделы

Спинтронные устройства (на основе магнитных и немагнитных гетероструктур)

Слоистые магнитные материалы и сверхрешетки

Эпитаксиальные слои

Эпитаксиальные слои

Слоистые материалы с характерными размерами фрагментов порядка постоянной решетки

Спинтроника и устройства на ее основе

Двумерные нанообъекты с характерными толщинами порядка размеров молекул

Наноэлектроника, компонентная база и устройства