Энциклопедический словарь нанотехнологий - маска

Термин на английском

mask, projection maskСинонимы

шаблонАббревиатуры

Связанные термины

литография, кварцевые микровесы, фоторезистОпределение

твердотельная плоская пластина с непрозрачным изображением топологического рисунка, имеющая прозрачные для облучения области вне рисунка (позитивный процесс); для негативного процесса прозрачными являются области топологического рисунка.
Описание

Маска является одним из важнейших элементов фотолитографической технологии микроэлектроники. Для того чтобы нанести рисунок схемы на пластину, с помощью управляемой компьютером машины (степпера) выполняется фотолитография. Целью ее является создание в слое материала фоторезиста "окна" заданной конфигурации для доступа травителя к расположенной под этим слоем полупроводниковой пластине с окисной пленкой. Такие "окна" образуются при экспонировании фоторезиста в потоке ультрафиолетового излучения лазера, в результате фоторезист теряет (или приобретает) растворимость. Конфигурацию "окон" задают соответствующие маски, после применения которых полученное изображение конденсируется с помощью специальной системы линз.

Именно она уменьшает заданный на маске шаблон до микроскопических размеров схемы. Кремниевая пластина закрепляется на позиционном столе под системой линз и перемещается с его помощью таким образом, чтобы были последовательно обработаны все размещенные на пластине микропроцессоры. Ультрафиолетовые лучи от лазера проходят через свободные пространства на маске. Под их действием светочувствительный слой в соответствующих местах пластины приобретает способность к растворению и затем удаляется органическими растворителями. Современная фотолитографическая машина обрабатывает за один час несколько десятков восьмидюймовых полупроводниковых пластин.

Сейчас большинство кристаллов производятся с помощью ультрафиолетовых лучей с длиной волны 0,248 мкм. Для создания ряда кристаллов разработана литографическая технология, обеспечивающая длину волны 0,193 мкм. Однако когда фотолитография перешагнула границу 0,2 мкм, возникли серьезные проблемы, которые впервые за историю этой технологии поставили под сомнение возможность ее дальнейшего использования. Например, при длине волны меньше 0,2 мкм слишком много света поглощается светочувствительным слоем, поэтому усложняется и замедляется процесс передачи шаблона схемы на процессор. Подобные проблемы побуждают исследователей и производителей искать альтернативы традиционной литографической технологии, одной из которых является использование для экспозиции жесткого ультрафиолетового излучения (Extreme Ultra Violet, EUV).

• Наймушина Дарья Анатольевна

Теги

Разделы