Энциклопедический словарь нанотехнологий - эпитаксия

Термин на английском

epitaxyСинонимы

Аббревиатуры

Связанные термины

гетероструктура полупроводниковая, гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, подложка, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия молекулярно-лучевая, методОпределение

ориентированный рост одного монокристалла на монокристаллической поверхности другогоОписание

Важное значение для получения эпитаксиальных слоев высокого кристаллического совершенства являются: чистота поверхности подложки, скорость нанесения материала и температура процесса. Рост эпитаксиальных пленок может происходить из газовой, жидкой или твердой фазы, поэтому различают газофазную эпитаксию, жидкофазную эпитаксию, твердофазную эпитаксию и молекулярно-лучевую эпитаксию.

Монокристаллическая подложка задает параметры роста пленки, поэтому кристаллическая структура и ориентация эпитаксиальной пленки совпадает со структурой и ориентацией подложки. Это отличает эпитаксиальный рост от роста тонких пленок, когда наблюдается рост поликристаллических или аморфных пленок даже на монокристаллических подложках. Если состав пленки и подложки совпадают, процесс называют гомоэпитаксией, если нет, то гетероэпитаксией.

Эпитаксиальный рост широко используется в нанотехнологиях и производстве полупроводниковых приборов для создания слоев полупроводниковых материалов с высоким кристаллическим качеством, таких как кремний-германий, нитрид галлия, арсенид галлия и фосфид индия.

• Гусев Александр Иванович, д.ф.-м.н.
• Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.

Теги

Разделы

Эпитаксиальные слои

Физические методы (лазерные, электронно-лучевые, ионно-плазменные) осаждения слоев нанометровых толщин