Энциклопедический словарь нанотехнологий - эпитаксия молекулярно-лучевая метод

Термин на английском

molecular beam epitaxyСинонимы

Аббревиатуры

МЛЭ, МПЭ, MBEСвязанные термины

гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, квантовая яма, нановискер, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазнаяОпределение

Разновидность эпитаксии как одного из нанотехнологических методов получения полупроводниковых гетероструктур. Молекулярно-лучевое эпитаксиальное наращивание на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ заключается в осаждении испаренных компонентов на нагреваемую монокристаллическую подложку с одновременным взаимодействием между ними.

Каждый нагреватель установки МЛЭ содержит тигель, являющийся источником одного из компонентов пленки. Температура нагревателей определяется величиной давления паров испаряемых веществ, которое должно быть достаточным для формирования соответствующих молекулярных пучков. Испаряемое вещество переносится на подложку в условиях высокого вакуума. Нагреватели располагаются так, чтобы максимумы распределений интенсивности пучков пересекались в плоскости подложки. Подбор температуры нагревателей и подложки позволяет получать пленки сложного химического состава. Повышение температуры подложки до определенного предела обычно приводит к повышению качества эпитаксиальных слоев. Дополнительное управление процессом наращивания слоев осуществляется с помощью заслонок, расположенных между нагревателем и подложкой и позволяющих прерывать или возобновлять поступление любого из молекулярных пучков на подложку. Установки МЛЭ снабжены вакуумными шлюзами для смены образцов м могут содержать оборудование для анализа пленок in situ методами дифракции отраженных электронов, масс-спектрометрии и оже-спектрометрии с возможностью исследования оже-спектров распыленных ионов. Метод МЛЭ с использованием масок позволяет выращивать на поверхности локальные структуры различного рельефа. Уникальным свойством МЛЭ является возможность выращивания сверхрешеток полупроводниковых гетероструктур с резкими границами, гладкими на атомарном уровне.

• Гусев Александр Иванович, д.ф.-м.н.

Разделы

Эпитаксиальные слои