Поиск в словарях
Искать во всех

Энциклопедический словарь нанотехнологий - микроскопия медленных электронов

 

Микроскопия медленных электронов

микроскопия медленных электронов
Термин

Термин на английском

low-­energy electron microscopyСинонимы

Аббревиатуры

LEEMСвязанные термины

электронная микроскопия, электронный микроскоп, модель поверхности Si(111)7x7Определение

вид микроскопии, в которой для формирования изображения поверхности твердого тела используют упруго отраженные электроны низких энергий.Описание

Микроскопия медленных электронов была изобретена Э. Бауэром (Ernst Bauer) в начале 1960-х годов и стала достаточно широко использоваться в исследованиях поверхности, начиная с 1980-х годов. В микроскопе первичные электроны низких энергий (обычно до 100 эВ) попадают на исследуемую поверхность, а отраженные электроны используются для формирования фокусированного увеличенного изображения поверхности. Пространственное разрешение такого микроскопа составляет десятки нм. Контраст изображения обусловлен вариацией отражательной способности поверхности по отношению к медленным электронам из-за различия в ориентации кристалла, поверхностной реконструкции, покрытия адсорбатом. Так как микроскопические изображения могут быть получены очень быстро, микроскопия медленных электронов часто используется для изучения динамических процессов на поверхности, таких как рост тонких пленок, травление, адсорбция и фазовые переходы в реальном масштабе времени. В качестве примера на рис.1 показано микроскопическое изображение поверхности Si(111) в ходе фазового перехода от реконструкции 7x7 к реконструкции 1x1, происходящего при температуре 860 оС.

Авторы

  • Зотов Андрей Вадимович, д.ф.-м.н.
  • Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.
Ссылки

  • Введение в физику поверхности: Пер. с англ. / Оура Кендзиро, Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. М. Наука, 2006. 490 с.
  • Tromp R.M. Low energy electron microscopy // IBM J. Res. and Develop. Vol. 44, 2000 P. 503-516
  • Иллюстрации

    Рис. 1. Изображение в микроскопе медленных электронов фазового перехода от реконструкции 7х7 к реконструкции 1х1 на поверхности Si(111). Фаза 7х7 (светлые участки) декорирует атомные ступени, тогда как поверхность террас в основном покрыта структурой 1х1 (темные участки). Размер поля изображения 5 мкм.  

    Источник: Tromp R.M. Low energy electron microscopy // IBM J. Res. and Develop. Vol. 44, 2000 P. 503-516


    Теги

    Разделы

    Электронная спектроскопия

    Рейтинг статьи:
    Комментарии:

    Вопрос-ответ:

    Ссылка для сайта или блога:
    Ссылка для форума (bb-код):