Химическая энциклопедия - индия арсенид
Индия арсенид
индия арсенид
InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,605886 нм, z =4, пространств. группа F43m); т. пл. 943 °С; плотн. 5,666 г/см 3, жидкого 5,850 г/см 3 (970 °С); С 0p49,32 Дж/(моль. К); DH0 пл 77,2 кДж/моль, DH0 обр -57,9 кДж/молъ. S0298 76 Дж/(моль. К); температурный коэф. линейного расширения 5,19.10-6 К -1; теплопроводность 122 Вт/(м. К). Полупроводник: e 11,7; ширина запрещенной зоны 0,43 эВ (0 К), 0,46 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости т е =>0,22m0, дырок m р = 0,33m0 (m0 - масса своб. электрона); подвижность электронов 3,4.104 см 2/(В. с) при 300 К и 8,2.104 см 2/(В. с) при 77 К, подвижность дырок 460 см 2/(В. с) при 300 К и 690 см 2/(В. с) при 77 К. И. а. устойчив на воздухе и в парах воды до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. соляной и серной к-тами, водными р-рами сильных окислителей (напр., Н 2 О 2), смесями азотной, фтористоводородной и уксусной к-т, а также азотной и соляной к-т с Н 2 О 2. Эти смеси используют для травления пов-сти кристаллов И. а. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений. Получают И. а. в кварцевых ампулах взаимод. расплава In с парами As, давление к-рых составляет 32,7 кПа при 800-900 °С. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В 2 О 3 в атмосфере инертного газа (Аr, Не, N2) при давлении 40-50 кПа (осн. способ), направленной кристаллизацией из расплава при давлении паров As 32,7 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра InAs в расплаве In при 650-700 °С; осаждением из газовой фазы: пары AsCl3 или НС1 пропускают над расплавом In, образовавшиеся при этом хлориды In переносятся в зону р-ции и взаимод. с парами AsCl3 или AsH3 при 700 °С, давая InAs; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и As в вакууме 10 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500 °С подложку). Для получения монокристаллов и пленок со св-вами полупроводников nили р-типа используют добавки соотв. Те, Se, Sn или Zn, Cd, Mn. И. а. полупроводникoвый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла. Лит. см. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский. Химическая энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия
Под ред. И. Л. Кнунянца
1988
Рейтинг статьи:
Вопрос-ответ:
Похожие слова
Ссылка для сайта или блога:
Ссылка для форума (bb-код):
Самые популярные термины
1 | 637 | |
2 | 617 | |
3 | 509 | |
4 | 496 | |
5 | 467 | |
6 | 467 | |
7 | 418 | |
8 | 405 | |
9 | 402 | |
10 | 398 | |
11 | 396 | |
12 | 390 | |
13 | 378 | |
14 | 377 | |
15 | 374 | |
16 | 374 | |
17 | 368 | |
18 | 359 | |
19 | 354 | |
20 | 342 |