Химическая энциклопедия - индия фосфид
Индия фосфид
индия фосфид
InP, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а= 0,586875 нм, z = 4, пространств. группа F43m); т. пл. 1070°С; плотн. 4,787 г/см 3; С°p46,2 Дж/(моль. К); DH0 пл 54,6 кДж/моль, DH0 обр Ч 90,3 кДж/моль; 0,07m0, дырок m р = 0,4m0 (m0 масса своб. электрона); подвижность электронов 5000 см 2/(В. с) при 300 К и 23500 см 2/(В. с) при 78 К, подвижность дырок 150 см 2/(В. с) при 300 К. Устойчив на воздухе до т-ры ~ 300°С. Взаимод. со смесями к-т HNO3 и HF, HNO3 и соляной. Для травления пов-сти кристаллов И. ф. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений используют р-ры Вr2 в метаноле, а также смеси H2SO4 с Н 2 О 2 и Н 2 О. Получают И. ф. в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах взаимод. нагретого до ~850°С расплава In с парами Р, давление к-рых составляет ~ 500 кПа. Образующийся расплав InP подвергают горизонтальной направленной кристаллизации. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В 2 О 3 в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) при давлении ~ 5000 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: кристаллизацией из р-ра InP в расплаве In при 700-750 °С; осаждением из газовой фазы (пары РСl3 пропускают над расплавом In при ~ 800 °С, образовавшиеся при этом пары хлоридов In переносятся в зону осаждения и взаимод. с парами РСl3 или РН 3 при 650-700 °С, давая InP, кристаллизующийся на монокристаллич. подложке); методом молекулярно-лучевой эпитаксии (взаимод. мол. пучков In и Р на нагретой до 500-600 °С монокристаллич. подложкe в высоковакуумной камере при давлении ~ 10-9 Па). Для получения полупроводниковых монокристаллов и пленок n-типа в качестве легирующих примесей используют Те, Se, S, Sn, а p-типа Zn Cd. Для придания монокристаллам полуизолирующих св-в их легируют Fe. И. ф. полупроводниковый материал для инжекц. лазеров, светодиодов, СВЧ генераторов, транзисторов, фотоприемников. Лит.: Марина Л. И., Нашельскяй А. Я., Колесник Л. И., Полупроводниковые фосфиды AIIIBV и твердые растворы на их основе, М., 1974, Мильвидский М. Г., Полупроводниковые материалы в современной электронике. М., 1986. Cм. также лит. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский. Химическая энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия
Под ред. И. Л. Кнунянца
1988
Рейтинг статьи:
Вопрос-ответ:
Похожие слова
Ссылка для сайта или блога:
Ссылка для форума (bb-код):
Самые популярные термины
1 | 637 | |
2 | 617 | |
3 | 509 | |
4 | 496 | |
5 | 467 | |
6 | 467 | |
7 | 418 | |
8 | 405 | |
9 | 402 | |
10 | 398 | |
11 | 396 | |
12 | 390 | |
13 | 378 | |
14 | 377 | |
15 | 374 | |
16 | 374 | |
17 | 368 | |
18 | 359 | |
19 | 354 | |
20 | 342 |